基板・半導体部品向けの電解メッキ

NEW!電解Ni・Pd・Auめっき

はんだでの二次実装性を高めることが出来ます


製品イメージ


技術資料(日本語)


無電解Ni(ニッケル)・Pd(パラジウム)・Au(金)めっきのデメリットを、電解めっきにすることにより解消しています。

バリア層としてPdめっき層を中間に設けることで、Au表面へのNi露出をより効果的に制することができます。また、Pd層を設けることでAuめっきを薄くすることができ、はんだでの二次実装性を高める効果がございます。


無電解Ni・Pd・Auめっきとメリット・デメリットの比較


工法   メリット デメリット
電解
めっき
  • 膜厚に制限なく処理が可能
  • 材料ロスが少なくランニングコストが安い。
  • 処理時間が短く、生産性向上と加工費低減が可能。
  • 下地に制限なくNi以外も含め選択が可能。
  • 通電用の接点エリアの設定が必要
  • 接点個所が未着になる
  • 導通が必要(不要個所にめっきが必要
  • 膜厚がばらつく(材料費UP・性能不安定)
  • 通電確保のために、ダミーが必要
  • 無電解
    めっき
  • 接点不要
  • 接点確保による未着無し
  • 導通不要(金属部分のみめっき析出)
  • 膜厚が均一(性能が安定化)
  • ダミー不要(材料費削減)
  • 膜厚の厚付けが出来ない
  • 液更新による材料ロスが発生する
  • 処理時間が長く生産性が悪い
  • 下地の無電解Niの仕様に制限がある

  • 上記のように電解・無電解めっきのそれぞれのメリット・デメリットが相反するような感じとなっています。友電舎では電解・無電解の両方を取り扱っていますので、お求めの特徴にあった工法をお選びください。


    特徴

    • Au表面へのNi露出をより効果的に制することができる
    • はんだでの二次実装性を高める
    • 電解Ni :膜厚の制限なし
           非磁性目的で下地Cuめっきでも対応可能
    • 電解Pd:膜厚は要求仕様による対応可能
           耐熱による下地Ni層の拡散防止(バリア層)
    • 電解Au:膜厚の制限なし
           WB性・はんだ接合性が良好
           半導体部品に適している


    対応可能な素材

    Cu系 / Fe系 / SUS系アルミ / Ni / Mo / W / Ti / メタライズ品(スパッタ・ロウ付け品等)


    製品事例

    半導体部品 / 各種基板 / ガラスハーメ品 / 接点部品 / 複合部品 等



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